シリコン (Si) と炭素 (C) で構成される化合物半導体材料です。シリコンに対して絶縁破壊電界強度が10倍、バンドギャップが3倍と優れており、p型、n型の制御が広い範囲で可能であるため、高温、高線量下使用できるパワーデバイス用材料として注目されています。